一种硅片缺陷检测方法及装置

本发明提供了一种硅片缺陷检测方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：对待测硅片的第一部分进行第一刻蚀处理后进行LDP检测，以确定待测硅片是否存在LDP缺陷；在待测硅片不存在LDP缺陷的情况下，对待测硅片的第二部分进行第二刻蚀处理后进行铜雾检测，确定待测硅片的形貌类型；根据形貌类型确定所述待测硅片的COP尺寸。降低了漏检、误判风险，提升了硅片缺陷检测的准确性。