一种N阱与深P阱结测试结构、制备方法及测试方法

本发明涉及半导体器件制备及测试技术领域，特别是涉及一种N阱与深P阱结测试结构、制备方法及测试方法。上述N阱与深P阱结测试结构在N阱和P阱之间设计了一种特殊深沟槽结构，该深沟槽结构恰好由所述N型外延层表面穿透至所述深P阱层内，使得N阱电流只能通过目标N阱/深P阱PN结流向P阱，而不会流向深P阱下方的外延层，构成了独立的N阱/深P阱PN结二极管结构。能够模拟待测LDEMOS器件的N阱/深P阱PN结，单独测试N型LDEMOS器件的N阱与深P阱层之间PN结的纵向击穿电压和结电容，进而得到更加准确的LDEMOS器件的击穿特性分析及其可靠性失效分析结果。