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기록

半导体结构的检测方法以及测试元件组

발명유효
13청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

IPC 분류

H10P 74/20 (2026.01)

本发明实施例提供一种半导体结构的检测方法以及测试元件组,该半导体结构的检测方法包含提供测试元件组,测试元件组包含多个隔离结构以及设置于各隔离结构之中的第一字元线及第二字元线,其中第一字元线及第二字元线分别位于各隔离结构的两侧;对测试元件组执行第一刻蚀工艺以移除隔离结构的上部并露出测试元件组的多个主动区的顶表面:对测试元件组执行第二刻蚀工艺,其中第二刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺;以及对测试元件组执行缺陷测试,判断测试元件组是否包含字元线缺陷。本发明实施例提供的半导体结构的检测方法以及测试元件组,提高了存储器装置的良率。