HKMG制程中Al腐蚀缺陷的检测结构和方法

本发明公开了一种HKMG制程中Al腐蚀缺陷的检测结构，第一测试区域中包括多条平行排列的第一栅极条形；各第一栅极条形包括第一P型栅极段和两端的第一N型栅极段；第一N型栅极段的伪多晶硅栅去除工艺是在第一P型栅极段形成之后进行。在靠近P型和N型栅极段的第一交界面处的第一P型栅极段上具有第一Al腐蚀缺陷检测区；各第一Al腐蚀缺陷检测区的顶部形成有接触孔。第一测试区域的各第一栅极条形通过接触孔和第一金属层图形形成首尾相连的第一链式测试结构；在第一链式测试结构的两端的第一端部接触孔连接到对应的测试衬垫。本发明能通过电性测试的方法来检测HKMG制程中Al腐蚀缺陷，且通过检测结构的设置能实现对Al腐蚀缺陷的全覆盖检测。