M0C Block形成方法

本发明公开了一种M0C Block形成方法，包括以下步骤包括：S1,在器件中间结构的覆盖氧化层上旋涂底层SOC、中间层Si‑ARC和顶层光刻胶的三层膜堆，随后进行曝光与显影，得到初始图形；S2,经过多次刻蚀把初始图形逐层传递到SiN，形成SiN/SOC混合硬掩模；S3,等离子体去除有机掩模；S4，沉积氧化层；S5,对氧化层进行化学机械抛光，研磨终点停在SiN层表面；S6，去除所有SiN层，保留氧化层；S7，以氧化层为掩模，刻蚀TiN层，形成最终M0C Block图形。本发明M0C CD稳定可控，Condense缺陷密度降低，良率提升，相对现有技术整体流程时间缩短，设备产能提高。