半导体器件的制造方法

本发明提供一种半导体器件的制造方法，先在衬底的待形成局部氧化层区域外围上方的刻蚀阻挡层中形成第一沟槽，并对第一沟槽底部的衬底进行第一离子的注入以形成侧部离子掺杂层，之后去除衬底的待形成局部氧化层区域的刻蚀阻挡层以形成第二沟槽，且进一步氧化第二沟槽底部的衬底以形成局部氧化层，在局部氧化层形成过程中通过侧部离子掺杂层阻挡氧的横向扩散，进而减小鸟嘴效应。而且无需减薄第二沟槽外围衬底上的刻蚀阻挡层的厚度，也无需减薄局部氧化层的形成厚度，因此保证了局部氧化层的形成厚度以及器件可靠性。