DTI结构制作方法及DTI结构

本发明公开了一种DTI结构制作方法，包括以下步骤：S1，衬底上依次形成第一氧化层、第一SiN层、第二氧化层和第二SiN层，并刻蚀形成沟槽；S2，氮化硅回刻；S3，生长第三氧化层，第三氧化层顶部高于第二氧化层，且第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层形成接触；S4，去除第二SiN层；S5，沟槽填充多晶硅；S6，多晶硅CMP。本发明能避免出现SiN上翘，限制在第三层氧化层生长时DTI和SIN层交界处的si被过分氧化，最终避免ACT刻蚀后在STI隔离氧化层侧壁残留硅栅栏，能避免因硅栅栏造成的漏电/短路，提升晶圆良率。