TSV工艺金属层对准方法

本发明公开了一种TSV工艺金属层对准方法，包括：S1，制作CT层标记；S2，执行CT层金属填充工艺；S3，TSV层光刻定义TSV图形，同时将CT层标记区域光刻胶去除；S4，TSV层刻蚀，利用填充金属与Si刻蚀选择比，反相刻蚀出与CT层标记反相的标记；S5，去除CT层标记上的金属，留下与CT层标记反相tone的对准标记；S6，TSV金属填充；S7，Metal dep，光刻标记用于后续层次对准和套刻。本发明能解决钨填充造成无法识别对准标记和套刻标记的技术问题。