降低后段互联接触电阻的方法

本发明公开了一种降低后段互联接触电阻的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在形成暴露下层铜互连结构的开口后，对衬底进行表面处理。所述表面处理采用包含还原性气体(例如氢气)的处理气体，在等离子体环境中，将所述下层铜互连结构表面的氧化铜还原为金属铜。本发明通过引入还原性气体进行刻蚀后处理，能够高效、温和地去除界面氧化层，显著降低通孔与下层铜互连结构之间的接触电阻，且不会对器件造成损伤。该方法工艺窗口宽，稳定性好，有助于减小集成电路的RC延迟，提升芯片整体性能。