实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法

本发明提供一种实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法。该方法包括：对形成于金属层上的光刻胶层进行减薄处理；通过调整光刻工艺的焦距及进行紫外光固化烘烤处理，使光刻胶层形成具有目标倾斜角度的掩模形貌；以该掩模形貌为掩模，采用去耦等离子体源刻蚀设备，通过包含主刻蚀及多阶段过刻蚀的优化刻蚀菜单，对所述金属层进行刻蚀。本发明解决了主流DPS刻蚀设备难以稳定实现小角度斜坡状金属形貌的技术问题，能够稳定获得侧壁角度小于65°的金属导线，从而显著提升半导体器件的台阶覆盖能力、电压耐受能力及可靠性。