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기록
形成钼的金属膜的方法及装置
발명유효
12청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
北条大介; 后藤夕佳; 小野一修; 若林哲
IPC 분류
H10W 20/44 (2026.01)
本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置,能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时,实施以下工序:对基板形成钨的金属基底膜;以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜,钼的晶粒尺寸变大,能够形成电阻率小的钼的金属膜。
발명자
北条大介; 后藤夕佳; 小野一修; 若林哲
IPC 분류
本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置,能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时,实施以下工序:对基板形成钨的金属基底膜;以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜,钼的晶粒尺寸变大,能够形成电阻率小的钼的金属膜。