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案件記録
一种基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构及其制备方法
発明有効
10請求項 · 2 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
朱云亭; 游亿成; 林伟毅
IPC分類
H10W 40/25 (2026.01)H10W 40/22 (2026.01)H10D 84/01 (2026.01)H10D 84/82 (2025.01)
本发明提供了一种基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构及其制备方法,属于半导体器件技术领域。本发明提供的基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构,包括设置在高电子迁移率晶体管外延晶圆底部的散热微孔,其内填充有金刚石2;所述高电子迁移率晶体管外延晶圆中所用外延晶圆衬底105为硅衬底;所述散热微孔的直径为5~50μm,深宽比为5~20:1。本发明基于硅衬底制备小口径、高深宽比的散热微孔,散热效果好,适用于小尺寸高集成度高电子迁移率晶体管器件的散热,具有产业化推广应用的潜力。
外部リソース