一种GaN集成功率器件

本发明公开了一种GaN集成功率器件，涉及半导体器件技术领域，封装壳和基板，基板安装在封装壳内，封装壳的一侧为对流端，且封装壳的另一侧为冷却端，对流端安装有风冷件，且冷却端处设有隔离腔室的罐体，基板处于对流端和冷却端之间，且封装壳内部边缘间隙处分布有导气件，导气件一端与风冷件连接，且导气件的另一端与罐体连接；封装壳的盖板上安装有多组隔板，隔板上开设有变形槽，且变形槽处安装有变形体；基板底部安装有导热件，且导热件与封装壳贴合，在单独空间的上部通过对流空气作用到不同的变形板处，从而对单独空间的上部分进行空气的对流，从而在封装壳内部对每个元件进行单独处理效果，从而减少了元件之间的相互影响。