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案件記録
半导体结构
発明有効
20請求項 · 1 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
林儒贤; 钟荣涛; 蔡绪孝; 林熙琮; 谢镇安; 陈奕涵; 邵耀亭
IPC分類
H10W 44/00 (2026.01)H10W 74/43 (2026.01)H10W 74/10 (2026.01)H10W 70/65 (2026.01)H10D 80/20 (2026.01)
一种半导体结构,包括一基板、设置于前述基板的上方的一主动装置以及一被动装置。前述主动装置设置于前述基板的第一区域中,前述被动装置设置于前述基板的第二区域中。此半导体结构还包括一遮蔽结构和一保护层。前述遮蔽结构包括一阻挡层和一顶盖层,前述阻挡层位于前述被动装置和前述主动装置的上方,而前述顶盖层位于前述阻挡层的上方。前述保护层位于前述阻挡层的下方且覆盖前述被动装置的顶面。前述阻挡层的侧壁、前述顶盖层的一底面、以及前述基板定义出一气腔。本发明使通常产生于主动装置的源极电极/漏极电极与栅极电极之间的寄生电容可以明显降低,并且可以改善主动装置的电子特性。
外部リソース