一种预防半导体功率器件分层的封装方法

本发明提供一种预防半导体功率器件分层的封装方法，涉及半导体器件封装技术领域，包括对镀银或镀镍引线框架进行清洁处理形成洁净导电表面，对洁净导电表面进行上芯处理和压焊处理形成芯片互连结构；对芯片互连结构进行电沉积处理形成树枝状纳米结构层，对树枝状纳米结构层进行压塑处理形成封装结构，对封装结构进行电镀处理和切割成型处理形成封装成品。该预防半导体功率器件分层的封装方法，通过在镀银或镀镍引线框架表面形成树枝状纳米结构层，并利用压塑处理将树枝状纳米结构层与塑封料结合，增强了封装结构的界面结合强度，避免了传统封装中因热膨胀不匹配导致的分层现象。该方法提高了封装界面的机械稳定性，还提升了功率器件的可靠性。