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기록

一种基于硅基-空气背腔结构的三维硅基转接结构加工方法及装置

발명유효
9청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

郑伟; 杜佳乐; 孙博; 贺喜; 叶劲飞

IPC 분류

H10W 70/05 (2026.01)H10W 20/20 (2026.01)H10W 70/65 (2026.01)

本发明公开了一种基于硅基‑空气背腔结构的三维硅基转接结构加工方法及装置,先在硅基衬底正面刻蚀出TSV盲槽,并在表面溅射上种子层进行盲槽电镀,待槽内镀实金属后进行机械磨平;随后完成顶层与底部金属图形化,以及硅基‑空气背腔结构的刻蚀。通过该方案的确定与实施,克服了将腔体金属侧壁集成在硅基晶圆中的困难,并实现了从接地共面波导线到金属波导的转换,为三维异质集成提供了一个高效可靠的转接方案。在工艺流程中,通过改进光刻胶旋涂工艺参数与掩膜方案,保证了工艺效果的稳定性。