一种用于聚合物再分布层的铜导线制作方法

本发明属于半导体技术领域，提供了一种用于聚合物再分布层的铜导线制作方法。本发明先在基板表面依次沉积粘附层和Cu种子层，然后完成图形化处理，在电镀区填充铜，刻蚀除去非电镀区的粘附层和Cu种子层后，进行ALD沉积，得到含有第一无机层和第二无机层的封盖保护层，接着制作感光介电层和开通孔，刻蚀除去通孔内部的封盖保护层，以确保通孔与下方的铜导线之间的电学连接。本发明采用ALD沉积工艺制作封盖保护层，能够与聚合物基RDL工艺兼容，氧气、水汽阻隔性能优异，避免铜线被氧化，以及实现ALD保形沉积，能够确保铜导线顶部及侧壁的完整覆盖，以解决高深宽比通孔的防护难题。