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기록

电子装置

발명유효
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

洪志斌; 孔政渊; 张勇舜

IPC 분류

H10W 70/62 (2026.01)H10W 70/65 (2026.01)

本公开提供一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括一温度敏感结构、一第一多层结构及一第二多层结构。该温度敏感结构具有一第一表面及与该第一表面相对之一第二表面。该第一多层结构安置于该温度敏感结构之该第一表面下方且经组态以响应于一第一温度变化而产生一第一残余应力。该第二多层结构安置于该第二表面上方且经组态以响应于一第二温度变化而产生一第二残余应力。该第二残余应力实质上消除该第一残余应力,使得该温度敏感结构、该第一多层结构及该第二多层结构构成一温度敏感度较低的结构。