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기록

埋入式封装结构、电源模组及电子设备

발명유효
17청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

鲍宽明; 李思; 赵春燕; 沈超; 谢育锋

IPC 분류

H10W 74/10 (2026.01)H05K 1/18 (2026.01)H02M 1/00 (2007.01)H10W 44/00 (2026.01)H10W 70/65 (2026.01)H10W 74/15 (2026.01)H10D 80/30 (2026.01)

本申请实施例公开了一种埋入式封装结构、电源模组及电子设备。该埋入式封装结构包括依次叠合设置的第一埋嵌框架、第二埋嵌框架和第三埋嵌框架,以及埋嵌于该埋入式封装结构中的输入电容、电感和输出电容;其中,输出电容位于第一埋嵌框架中,电感位于第二埋嵌框架中,输入电容位于第三埋嵌框架中,且第三埋嵌框架的远离第二埋嵌框架的一侧设置有芯片接口。该芯片接口用于与芯片互连,芯片可设置在第三埋嵌框架上,构建形成多层埋嵌四层堆叠架构。如此设置,可降低电源芯片的散热热阻,减小功率路径寄生,降低电应力风险,满足不同应用场景的产品需求。