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案件記録

管理半导体装置中的缝隙结构

発明有効
20請求項 · 3 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

孙昌志; 杨远程; 赵冬雪; 张坤; 周文犀

IPC分類

H10B 53/10 (2023.01)H10B 53/50 (2023.01)

提供了用于管理半导体装置中的缝隙结构的系统、装置和方法。在一方面,半导体装置包括第一堆叠结构和电容器结构,所述第一堆叠结构具有交错的第一导电层和第一电介质层,所述电容器结构沿第一方向延伸穿过第一堆叠结构。电容器结构包括内电极层、铁电层、和多个外电极。相邻外电极沿第一方向布置且彼此隔离。半导体装置包括缝隙结构。缝隙结构的一部分沿垂直于第一方向的第二方向部分地延伸到第一堆叠结构中。半导体装置包括与第一堆叠结构相邻的第二堆叠结构。第二堆叠结构包括与第二电介质层交错的第一导电层。

外部リソース