存储电路、处理装置及电子设备

本发明提供一种包括写入速度及读出速度快的易失性存储器以及能够备份数据的非易失性存储器的存储电路。存储电路包括第一层以及位于第一层的上方的第二层。第一层包括包含硅的半导体衬底、形成在半导体衬底上的第一电路及第二电路。第二层包括第一铁电电容器及第二铁电电容器。另外，第一铁电电容器及第二铁电电容器都包括介电质。第一电路具有保持第一数字数据的触发器电路的功能，第二电路具有对第一铁电电容器和第二铁电电容器写入彼此成对的第一数字数据的功能。另外，介电质含有包含铪及锆的氧化物。