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기록
包含TSV结构的设备
발명유효
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
成井诚司; 内山士郎; 徐邦宁; 柴田佳世子; 长内文之
IPC 분류
H10B 80/00 (2026.01)H10D 80/30 (2026.01)H10W 20/20 (2026.01)H10W 20/42 (2026.01)H10W 20/43 (2026.01)
根据本公开的一或多个实施例，一种设备包括：逻辑裸片，其包含多个第一穿硅通孔(TSV)；及核心裸片，其在所述逻辑裸片上，所述核心裸片包含多个TSV。所述逻辑裸片中的所述第一TSV的数目不同于所述核心裸片中的所述第二TSV的数目。