半导体装置

在纵通道翅片构造的沟槽MOSFET中，确保短路耐量的同时降低接通电阻。半导体装置（1）具有：多个沟槽（2），其在俯视时在第一方向上具有长边方向、在第二方向上具有短边方向且在第二方向上排列有多个；第一导电型的第一源极区域（3），其至少一部分由多个沟槽（2）划分出；以及第二导电型的通道区域（5），其与第一源极区域（3）的下表面相接，且由多个沟槽（2）划分，通道区域（5）与主体区域（9）连接，并且在通道区域（5）中，通道电流沿纵方向流动，配置在沟槽（2）的内部的栅极电极（7）的第一方向的长度比JFET区域（8）的第一方向的长度长，JFET区域（8）的杂质浓度比漂移区域（10）的杂质浓度高，主体区域（9）以及JFET区域（8）的、从沟槽（2）的下部的深度方向的尺寸均比0.5μm大。