冷源和负电容场效应晶体管及方法

提供了一种晶体管(200a)，包括源极区、漏极区、沟道和栅极。所述源极区具有硅化物区(224)和掺杂有第一掺杂剂类型的半导体区(222n)；所述漏极区(206p)包括掺杂有第二掺杂剂类型的半导体；所述沟道(208p)位于所述源极区和所述漏极区之间；所述栅极(210)位于所述沟道上方，包括铁电材料(216)；所述硅化物区位于所述半导体区和所述沟道之间。