具有多个堆叠无源器件的半导体器件

公开了一种半导体器件。在一方面中，一种半导体器件包括：第一层无源器件，该第一层无源器件包括以堆叠配置设置的基板部分、无源器件部分及金属化部分；以及设置在第一层无源器件上方的一个或多个第二层无源器件。该一个或多个第二层无源器件中的每个第二层无源器件包括：以堆叠配置设置的基板部分、无源器件部分及金属化部分；以及一组基板穿孔（TSV），该一组基板穿孔（TSV）穿过对应基板部分并电耦合至对应金属化部分。半导体器件包括无源组件，该无源组件包括通过第一层无源器件的金属化部分和一个或多个第二层无源器件的金属化部分电耦合至一个或多个第二层无源器件的一个或多个无源器件部分的第一层无源器件的无源器件部分。