具有不同栅极电介质厚度的纳米片晶体管

公开了半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括第一栅极结构（130），该第一栅极结构包括穿过第一栅极金属沿第一方向设置的第一组沟道（134）以及设置在第一组沟道与第一栅极金属之间的第一组栅极电介质（136）。第一组栅极电介质各自具有第一厚度。半导体器件还包括第二栅极结构（140），该第二栅极结构包括穿过第二栅极金属沿第一方向设置的第二组沟道（144）以及设置在第二组沟道与第二栅极金属之间的第二组栅极电介质（146）。第二组栅极电介质各自具有第二厚度。第二厚度大于第一厚度，并且第二组沟道的数量少于第一组沟道。