形成含镓膜的方法

本公开的实施例涉及一种形成含镓膜的方法，该方法在其上形成有金属膜、硅（Si）膜、硅氧化物（SiO）膜和硅氮化物（SiN）膜中的至少一者的基板上形成含镓膜。该方法可以包括如下步骤：准备基板；向基板上喷洒含镓（Ga）源气体；以及向基板上喷洒含氮（N）反应气体，从而在基板的硅膜和/或硅氮化物膜上形成第一镓氮化物（GaN）膜。因此，根据本公开的实施例，可以容易形成镓氮化物膜或镓氧化物膜。也就是说，镓氮化物膜或镓氧化物膜可以在硅（Si）基板上于一个方向上生长。因此，可以形成抑制了缺陷的发生的镓氮化物膜或镓氧化物膜，使得应用了镓氮化物膜或镓氧化物膜的半导体装置的特性得以改善。