制造具有受控应力的电荷俘获层的绝缘体上半导体晶片的方法

一种制备多层结构的方法包含提供单晶半导体处置衬底，所述单晶半导体处置衬底包含前表面、后表面、连接所述前及后表面的圆周边缘及位于所述前与后表面之间的中心平面。所述单晶半导体处置衬底具有至少约500Ohm‑cm的最小体区电阻率。所述方法还包含在所述单晶半导体处置衬底的所述前表面上沉积半导体层。沉积所述半导体层是通过沉积所述半导体层的一部分及在沉积所述半导体层的所述部分之后中断所述沉积以对所述半导体层的所述部分进行退火的两个或更多个循环来执行。