一种碳化硅衬底的加工方法

本发明提供了一种碳化硅衬底的加工方法，涉及半导体技术领域。确定所述待处理碳化硅衬底的中心区域在所述下抛光盘的边缘区域上的环形运动区域；将所述下抛光盘的边缘区域上、位于所述环形运动区域内外两侧的区域分别作为第一环形区域和第二环形区域，基于所述环形运动区域、所述第一环形区域和所述第二环形区域各自的抛光压力，对所述上抛光盘的对应区域进行加压。采用分区加压的方式，降低待处理碳化硅衬底中心区域的高度，改善加工后的碳化硅衬底的TTV，提高加工后的碳化硅衬底的厚度均匀性，减少因厚度不均造成的返工，同时减少复杂的检测和筛选，进而提高加工效率。