CMP研磨垫及CMP设备

本发明公开了一种CMP研磨垫，包括：相对的第一表面和第二表面，第一表面为研磨面且呈圆形。多个贯穿第一和第二表面监控窗口，各监控窗口均匀分布在第一圆形上，以第一圆形为中心的第一环形区域为监控窗口影响区；监控窗口使监控窗口影响区的研磨液刷洗速率增加。在第一表面上设置有凹槽图形结构，凹槽图形结构用于调节第一表面上的研磨液刷洗速率且凹槽图形结构使监控窗口影响区的研磨液刷洗速率降低以补偿监控窗口对监控窗口影响区的研磨液刷洗速率的增加的影响。本发明还公开了一种CMP设备。本发明能在设置监控窗口的条件下防止监控窗口对研磨速率带来的不利影响，从而提高研磨均匀性。