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기록
一种高致密度碳化钽涂层的制备方法
발명유효
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
郑方渊; 冯小倩; 刘津良; 赵明
IPC 분류
C04B 41/87 (2006.01)
本发明提供了一种高致密度碳化钽涂层的制备方法,属于半导体加工技术领域。本发明通过在TaC粉末和低熔点含钽粉末中加入柠檬酸铵温、阿拉伯胶以及水后混合均匀后利用喷雾造粒机造粒得到TaC粉末表面吸附低熔点的含钽的初级混合粉,并在烧结后得到的TaC粉末表面包裹低熔点含钽粉末的次级混合粉末破碎、筛分后与有机粘结剂和水混合后涂覆于石墨基材表面,经烧结后得到碳化钽预涂层,不仅实现了液相辅助TaC粉末烧结,还依靠喷雾造粒和烧结的方式使TaC粉末周围包裹一层低熔点的含钽粉末,缓解烧结过程中晶界之间产生的裂纹孔隙,利于涂层与基材之间的结合,并通过液体填充到TaC晶界处的裂纹孔隙中,使碳化钽预涂层的致密性更高,满足高品质SiC单晶的生长需求。