一种基于增厚与退火复合工艺抑制离子束诱导铬/钽酸锂界面起泡的方法

本发明涉及一种基于增厚与退火复合工艺抑制离子束诱导铬/钽酸锂界面起泡的方法。包括步骤：(1)将切割好的钽酸锂薄膜进行清洗；(2)通过磁控溅射法在钽酸锂薄膜上沉积铬掩膜，得到镀膜钽酸锂；(3)对镀膜钽酸锂进行退火处理；(4)使用聚焦离子束在退火后钽酸锂薄膜上刻蚀微纳结构；(5)去除铬掩膜，清洗后，完成器件的加工。本发明所提供方法不仅通过增厚掩模有效阻隔离子穿透至铬/钽酸锂界面，抑制有机污染物分解与气泡形核，还借助退火处理促使薄膜发生结构弛豫，降低本征拉伸应力并形成连通微孔结构，为界面气体提供逸出通道，从而彻底抑制起泡的生成与扩展，界面稳定性显著提升。