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기록
一种CoNiOOH修饰Sr掺杂BiVO光电极及其制备方法
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
李盼; 张语嫣; 王琳琪
IPC 분류
C25B 11/091 (2021.01)C25B 11/054 (2021.01)C25B 11/052 (2021.01)C25B 1/04 (2021.01)C25B 1/55 (2021.01)
本申请属于光电极材料制备领域,具体涉及一种CoNiOOH修饰Sr掺杂BiVO光电极及其制备方法。光电极,包括:导电基底;设置在导电基底上的Sr掺杂BiVO层;以及设置在Sr掺杂BiVO层上的CoNiOOH层。制备方法,包括以下步骤:a)在导电基底上通过电沉积方法制备BiOI电极;b)将含有锶源和钒源的溶液施加到所述BiOI电极上,并进行热处理,以形成Sr掺杂BiVO光电极;c)将所述Sr掺杂BiVO光电极浸入含有钴源和镍源的溶液中,进行原位生长处理,以在所述Sr掺杂BiVO光电极表面形成CoNiOOH层,最后得到Sr:BiVO/CoNiOOH光电极。