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기록
镀钴抑制剂、电镀钴镀液及电镀方法
발명유효
12청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
夏媛媛; 韩佐晏; 童依婷; 赖大伟; 张梦云; 吴蕴雯; 李明
IPC 분류
C25D 3/12 (2006.01)C25D 3/16 (2006.01)C25D 5/18 (2006.01)C25D 5/00 (2006.01)C25D 7/00 (2006.01)
本申请公开了镀钴抑制剂、电镀钴镀液及电镀方法,属于电镀技术领域。该镀钴抑制剂的化学结构式如下所示:L、L、L各自独立地选自单键、亚烷基、聚乙二醇基中的至少一种;R、R、R各自独立地选自氢、羟基、氨基、巯基、羧基、酰基、烷基、环烷基、不饱和烃基、醛基、羧酸基、取代或者未取代的芳基、取代或者未取代的杂芳基、取代或者未取代的芳基酯中的至少一种;所述R、所述R、所述R中的至少一个含有不饱和键。该抑制剂利于金属钴在纳米级尺度的互连沟槽或者通孔中进行无几何缺陷地填充,还利于降低金属钴镀层的电阻率。