一种基于等离子体辅助技术的工业硅表面改性方法

本发明涉及工业硅表面改性领域，公开了一种基于等离子体辅助技术的工业硅表面改性方法，包括以下步骤：(a)将工业硅基材置于等离子体处理设备的真空反应腔体中；(b)向所述真空反应腔体内通入由至少两种气体组成的多组分混合气体；(c)激发等离子体，并通过调控等离子体源的功率、频率、所述多组分混合气体的比例及流量以及处理时间，对工业硅表面进行改性处理；(d)利用所述多组分混合气体等离子体中不同物理与化学过程之间的协同效应，在工业硅表面原位形成纳米复合结构。本发明与现有技术相比优点在于，该方法通过多组分混合气体等离子体中的协同作用，在工业硅表面原位形成纳米复合结构，从而一次性实现多种功能特性的集成。