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기록

点火装置和半导体工艺设备

발명유효
11청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

IPC 분류

F23D 14/02 (2006.01)F23D 14/62 (2006.01)F23D 14/66 (2006.01)F23D 14/46 (2006.01)

本申请公开一种点火装置和半导体工艺设备,涉及半导体技术领域。点火装置包括点火腔室以及与所述点火腔室连通的第一进气管道和第二进气管道,所述第二进气管道套设于所述第一进气管道之外,所述第一进气管道用于输送第一气体,所述第二进气管道用于输送第二气体;所述点火腔室包括燃烧室和吹扫气进口,所述吹扫气进口、所述第一进气管道和所述第二进气管道均与所述燃烧室相连通,所述燃烧室的内表面为弧形凹面,所述弧形凹面沿远离所述点火腔室的中心轴线的方向凹陷。该方案能够解决目前点火装置存在吹扫盲点的问题。