压力传感器芯片及制备方法

本申请涉及压力传感器技术领域，尤其涉及一种压力传感器芯片及制备方法，通过刻蚀碳化硅外延片的p型碳化硅键合层形成金属电极开孔区、p型隔离通道及键合区；刻蚀n型碳化硅器件层形成n型隔离通道、阻条引线及n型碳化硅压敏电阻；设置二氧化硅层在p型隔离通道侧壁、n型隔离通道侧壁及楔形通孔与p型碳化硅键合层未接触的钝化区；设置金属电极层在金属电极开孔区并与n型碳化硅器件层接触；刻蚀n型碳化硅衬底的底部形成环形阶梯状压力腔体，在碳化硅封接盖板中心设置有盲槽和楔形通孔，碳化硅封接盖板键合于碳化硅外延片的顶部，以解决碳化硅压力传感器芯片难以满足高精度压力测量需求的问题。