SiC MOSFET建模方法及系统

本发明提供了一种考虑多种寄生参数的SiC MOSFET建模方法及系统，属于SiCMOSFET器件建模技术领域。该方法包括构建SiC MOSFET器件寄生结电容关系式；对SiC MOSFET器件输入电容进行分段式建模；分别对SiC MOSFET器件输出电容、反向传输电容进行建模；获取SiC MOSFET器件漏极电感、源极电感、栅极电感和栅极驱动电阻；构建二极管模型；搭建SiC MOSFET器件双脉冲测试电路。本发明解决了现有SiC MOSFET器件建模方法在精度与效率方面存在的不足，尤其针对SiC MOSFET器件高频开关过程中因忽略关键寄生参数和非线性行为而导致的仿真偏差问题。