超低压SRAM架构

本公开涉及超低压静态随机存取存储器(SRAM)架构。本文中公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)电路，该SRAM电路被设计为在存储器阵列电源电压(VDDMA)显著超过外围电路电源电压(VDDMP)的情况下可靠操作。公开了预充电电路和预充电辅助电路的各种配置，每种配置都旨在防止读取操作期间位单元中的意外状态变化。这些电路采用诸如从较高电压域的电荷转移、电容耦合和感测放大器去耦等技术，以在关键读取阶段将位线电压提升到VDDMP以上。这实现了在VDDMA与VDDMP之间具有较大电压差的情况下的稳定SRAM操作，从而促进性能和功率效率两者的提高。