一种钛酸铋钠基无铅铁电薄膜

本发明属于铁电材料技术领域，具体涉及一种SrNaNbO掺杂的BiNaTiO（BNT）基铁电薄膜。通过A/B位元素掺杂改性钛酸铋钠BiNaTiO（BNT）基材料，选用钨青铜结构的SrNaNbO作为掺杂组分，化学组成为(0.94‑x)BiNaKTiZrO‑0.06BaTiO‑xSrNaNbO，SrNaNbO掺杂量为0.01~0.1，在此基础上额外掺杂1 mol%的锰。该无铅铁电薄膜采用溶胶凝胶法制备。依据该发明制备的钛酸铋钠基无铅铁电薄膜抗击穿强度（E）和可回收储能密度（W）显著提升，相比于未掺杂样品，E提高56%，最大极化强度（P）达到102.4 μC/cm，W由94.11 J/cm提高到128.82 J/cm，提升37%。