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기록
一种用于钽电容器的掺杂钛二氧化锰阴极的制备方法
발명유효
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
陈育松; 阮巧芳; 黄建耀; 刘璇; 刘珺楠
IPC 분류
H01G 9/00 (2006.01)H01G 9/042 (2006.01)H01G 9/15 (2006.01)
本发明公开了一种用于钽电容器的掺杂钛二氧化锰阴极的制备方法,包括以下步骤:通过化成处理,在阀金属块表面形成介电质氧化膜层;在介电质氧化膜层上制备第一导电层;在第一导电层上形成钛掺杂的二氧化锰阴极层。本发明的二氧化锰阴极层采用含钛掺杂剂的电解液通过电化学沉积法制备,钛原子以取代掺杂或间隙掺杂方式进入二氧化锰晶格,使二氧化锰的电导率得到提升,且该层与第一导电层界面致密无孔隙。这使得最终制备出的固体电解电容器等效串联电阻(ESR)更低,尤其适合高频、大电流电路应用,减少了能量损耗和发热。