半导体工艺腔室的清洁方法

本发明提供一种半导体工艺腔室的清洁方法。该方法包括以下步骤：向半导体工艺腔室中通入清洁气体，以使附着在腔室内壁上的颗粒物脱离；持续通入清洁气体并在腔室内施加能量，以形成气体循环，从而使颗粒物悬浮并随气体循环流动；停止通入清洁气体，并利用腔室的内外压差，将颗粒物排出。本发明通过阶梯式地重复执行上述步骤，能够高效、彻底地清除腔室内累积的颗粒物缺陷源，从而显著降低晶圆表面的剥落缺陷，提升产品良率。