半导体激光元件及发光装置

本申请提供了一种半导体激光元件及发光装置，在第一包覆层和第一波导层之间插入电子提供层，所述电子提供层的厚度小于或等于100nm，且所述电子提供层的n型掺杂浓度大于或等于3×10atom/cm。通过高Si掺杂来提升电子浓度，促进电子从n型层向有源区的有效注入，从而有效增加载流子在激光有源区的复合几率，进而提升激光器的整体效率。同时，减薄并精确控制该电子提供层的厚度，以确保在提升局限因子的同时，尽量减少高Si掺杂对激光器件光电性能的负面影响，减降低产生晶体结构缺陷的概率，确保激光元件的性能稳定性，最终达到提高出光亮度的目的。