一种基于多PN结Bar条的大功率激光器

本发明涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种基于多PN结Bar条的大功率激光器，所述多PN结Bar条包括：Bar条衬底、PN结阵列、接触层、绝缘层；PN结阵列由PN结单元构成，PN结单元由采用层级结构的外延基本单元叠加构成；外延基本单元之间通过隧穿层连接；接触层设置在PN结单元的顶面；绝缘层设置在PN结单元的侧面，用于隔离相邻的PN结单元；所述Bar条衬底，用于搭载PN结阵列、接触层、绝缘层。本申请通过叠加的外延基本单元，实现外延生长方向的发光点串联集成，结合传统的横向发光点并联集成，光谱分布更加均匀，可以减少Bar条芯片数量与热沉数量，具有部件成本与生产效率的优势。