半导体激光元件及发光装置

本申请提供了一种半导体激光元件及发光装置，半导体激光元件通过在第一波导层与有源层之间插入应力释放层，将晶格常数从衬底层较好地过渡到有源层，降低晶格畸变率，提高层间晶格匹配度，为有源层提供更好的生长环境，减少有源层表面的微坑缺陷，提高有源层晶体质量；同时应力释放层中In组分峰值强度小于第一波导层中的In组分含量，以精确控制激光波长和载流子复合位置，减少电子溢流，提高载流子复合效率及增益效果，避免产生双峰现象，最终达到提高出光亮度的目的。