半导体结构的形成方法

一种半导体结构的形成方法，包括：形成器件层，所述器件层包括若干存储单元；在所述器件层上形成介质层和位于介质层内的插塞结构，所述插塞结构与所述存储单元电连接；对所述半导体结构进行退火处理，所述退火处理包括第一处理过程和第二处理过程，所述第一处理过程具有第一温度范围和第一压强范围，所述第二处理过程具有第二温度范围和第二压强范围，所述第一温度范围小于所述第二温度范围，所述第一压强范围大于所述第二压强范围。所述方法减小了漏电流。