存储阵列及其制备方法、存储器和电子设备

本申请提供一种存储阵列及其制备方法、存储器和电子设备，涉及半导体技术领域，用以解决如何提高存储密度的问题。该存储阵列包括多个存储单元，存储单元包括第一栅极、第二栅极、沟道结构、绝缘层和栅介质层，沟道结构在第一方向上延伸设置，第一栅极和第二栅极至少部分环绕沟道结构并层叠设置，第一方向为第一栅极和第二栅极的层叠方向；绝缘层沿第一方向设置在第一栅极与第二栅极之间；栅介质层至少部分设置在第一栅极与沟道结构之间、及第二栅极与沟道结构之间；多个存储单元在与第一方向相交的平面内阵列排布，每一行存储单元的第一栅极连接形成字线，多个存储单元的第二栅极连接形成板线。该存储单元可用于提升存储阵列的存储密度。