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制造半导体元件的方法

발명유효
20청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

IPC 분류

H10B 12/00 (2023.01)

提供一种制造半导体元件的方法,包括:提供基板,包括单元区以及周边区;形成晶胞触点、位元线结构以及间隔件于单元区上,其中间隔件分隔晶胞触点以及位元线结构;形成经掺杂多晶硅层于晶胞触点上,从而形成包括经掺杂多晶硅层以及晶胞触点的晶胞触点结构,其中经掺杂多晶硅层是经半导体型离子掺杂:经由使用水,对于晶胞触点结构执行第一清洗处理;以及经由使用经稀释氢氟酸或水,对于晶胞触点结构执行第二清洗处理。经由特定的清洗步骤,可避免腐蚀以及残留物残留于晶胞触点结构上,从而提升半导体元件的电子性能。