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半导体结构及其制造方法
发明专利有效
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17权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
刘志拯; 李宗翰
IPC 分类
H10B 12/00 (2023.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/00 (2025.01)
本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法,其中,半导体结构包括:衬底以及位于衬底上的至少一个电容器,电容器包括:多个第一纳米片,沿第一方向延伸,并沿第二方向和第三方向呈阵列排布;其中,第一方向和第二方向相交并与衬底的表面平行,第三方向垂直于衬底的表面;多个第一电容结构,沿第一方向分别位于第一纳米片的两侧并与第一纳米片电连接;导电结构,分别沿第二方向和第三方向贯穿多个第一纳米片,并通过第一纳米片与多个第一电容结构电连接。