一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法

本申请属于芯片结构设计相关技术领域，更具体地，涉及一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法。本发明所涉及的动态随机存储器，具有异质集成的感存算一体结构，其中第一场效应晶体管的漏极与第二浮栅晶体管的底栅电极相连通，工作时通过对第一场效应晶体管施加脉冲电压信号以调节第二浮栅晶体管的底栅注入电荷，瞬时调控第二浮栅晶体管底栅的栅压，改变浮栅与隧穿层的势垒，改变浮栅存储层中存储的电荷数量实现调制第一浮栅晶体管的阈值电压，实现灵活的存储功能。